刻蝕造句,用刻蝕造句

1 通過深紫外光刻和感應(yīng)耦合等離子刻蝕設(shè)備，制備了所設(shè)計的器件。

2 采用反應(yīng)離子刻蝕，各向異性化學(xué)腐蝕及自限制熱氧化過程在SOI襯底上制備出高質(zhì)量的超精細(xì)硅量子線。

3 通過優(yōu)化刻蝕參數(shù)，獲得了側(cè)壁粗糙度和傳輸損耗相對較低的SOI脊形波導(dǎo)。

4 由此解釋了無刻蝕鍍鐵層具有高結(jié)合強度的原因。

5 等離子體低溫刻蝕是一種針對高深寬比結(jié)構(gòu)的干法刻蝕技術(shù)。

6 通過納米制備技術(shù)研究者在氮化硅中刻蝕出許多空洞以構(gòu)成所需圖案，使得波導(dǎo)具有合適的隱形折射率。

7 最后利用三維表面形貌儀，分別對濕法刻蝕和干法刻蝕的磁頭結(jié)構(gòu)進(jìn)行了數(shù)據(jù)分析。

8 對硅的干法刻蝕技術(shù)是現(xiàn)代半導(dǎo)體工業(yè)中非常重要的一項工藝。

9 該器件采用一次深刻蝕與一次淺刻蝕，從而屏蔽掉“靜態(tài)鏡面”的影響。

10 本文以金屬刻蝕去膠腔為背景，簡述干刻清洗工藝開發(fā)和評價過程。

11 本發(fā)明過孔的制備過程工藝簡單，操作性比通過刻蝕的方法方便，降低了工藝成本。

12 刻蝕工藝的分辨率是圖形轉(zhuǎn)移保真度的量度.

13 并且詳細(xì)論述離子刻蝕的原理以及離子源的參數(shù)設(shè)計。

14 本發(fā)明公開了一種刻蝕停止層，包括在襯底上形成的含氮的碳化硅層，以及位于所述碳化硅層之上的氮化硅層。

15 硅片的一部分經(jīng)掩膜后進(jìn)行SF6干法刻蝕，從而使集流器能夠連接到外電路上。

16 蘸水筆技術(shù)是年來發(fā)展起來的一種新的掃描探針刻蝕加工技術(shù)，有著廣泛的應(yīng)用前景。

17 田納西河刻蝕著坎伯蘭高原的東部邊緣.

18 目前，刻蝕技術(shù)已經(jīng)成為集成電路生產(chǎn)中的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)，干法刻蝕設(shè)備亦成為關(guān)鍵設(shè)備。

19 用電子束刻蝕法在晶片上鍍上納米級鋁層形成了電感器。

20 介紹了一種無刻蝕直流鍍鐵工藝。造 句網(wǎng)

21 運用相位掩模法刻蝕光纖光柵，該方法對光源的時間相干性和單色性要求較低，工藝簡單，成品率高。

22 衍射光學(xué)元件在制作過程中,存在掩模對準(zhǔn)、線寬和刻蝕深度等制作誤差.

23 你有信仰就年輕，疑惑就年老。有自信就年輕，畏懼就年老。有希望就年輕，絕望就年老。歲月刻蝕的不過是你的皮膚，但如果失去了熱忱，你的靈魂就不再年輕。

24 在器件中引入增益耦合機(jī)制以提高單模成品率，并采用感應(yīng)耦合等離子體干法刻蝕技術(shù)以降低調(diào)制器電容。

25 對這種結(jié)構(gòu)的形變特性進(jìn)行了實驗測試，考慮到測量誤差與濕法刻蝕造成膜表面的不整因素，測實結(jié)果與模擬結(jié)果較為相符。

26 本項研究是在分析比較現(xiàn)有各種鍍鐵工藝的基礎(chǔ)上，采用了一種新的無刻蝕鍍鐵及其復(fù)合鍍工藝。

27 曲軸修理過程中進(jìn)行曲軸剩余強度校核十分重要，結(jié)合董氏無刻蝕鍍鐵工藝修復(fù)十分可靠。文中以某輪曲軸修復(fù)為例，介紹了鍍鐵修復(fù)工藝及曲軸強度校核計算。

28 通過對光刻工藝過程的研究，可為較好地控制正性光刻膠面形，制作微機(jī)械、微光學(xué)器件提供了參考依據(jù)，對微浮雕結(jié)構(gòu)的深刻蝕具有重要的指導(dǎo)意義。

29 研究常壓等離子射流處理對羊毛織物正反面染色性的影響，從而探索常壓等離子射流刻蝕在織物中的滲透性。

30 應(yīng)用感應(yīng)耦合等離子體技術(shù)首次實現(xiàn)了對銻化銦薄膜的干法刻蝕.

31 傳統(tǒng)的干法刻蝕不適合用于注入層，因為它的工藝復(fù)雜而且在刻蝕過程中可能導(dǎo)致基片損壞。

32 與傳統(tǒng)濕法腐蝕比較，干法刻蝕具有各向異性、對不同材料選擇比差別較大、均勻性與重復(fù)性好、易于實現(xiàn)自動連續(xù)生產(chǎn)等優(yōu)點。

33 列舉一些對本技術(shù)發(fā)展帶有突破性意義的里程碑，并敘述干法刻蝕技術(shù)在微電子學(xué)和光電子學(xué)等重要應(yīng)用領(lǐng)域的作用。